一款功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成H橋電路驅(qū)動(dòng)芯片-SS6952TH橋電路驅(qū)動(dòng)芯片的工作原理是經(jīng)過(guò)控制四個(gè)晶體管的導(dǎo)通與截止來(lái)實(shí)現(xiàn)電機(jī)的正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)和停止。H橋電路由四個(gè)晶體管（通常為MOSFET）組成，形成“H”型結(jié)構(gòu)。當(dāng)Q1和Q

  可選的內(nèi)部或外部MOSFET驅(qū)動(dòng)器增壓調(diào)節(jié)器的電源管理芯片-IML1942

  電源管理芯片（Power Management Integrated Circuits），是在電子設(shè)備系統(tǒng)中擔(dān)負(fù)起對(duì)電能的變換、分配、檢測(cè)及其他電能管理的職責(zé)的芯片。主要負(fù)責(zé)識(shí)別CPU供電幅值，產(chǎn)生相應(yīng)的短矩波，推動(dòng)后級(jí)電路進(jìn)行功率輸出

  工采網(wǎng)代理的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片 - SS8812T為打印機(jī)和其它電機(jī)一體化應(yīng)用提供一種雙通道集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案。SS8812T有兩路H橋驅(qū)動(dòng)，每個(gè)H橋可提供較大輸出電流1.6A (在24V和Ta=25C適當(dāng)散熱條件下)，可驅(qū)動(dòng)兩個(gè)刷式直流電機(jī)，或者一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī)，或者螺線管或者其它感性負(fù)載

  小型封裝內(nèi)置第4代SiC MOSFET，實(shí)現(xiàn)業(yè)界超高功率密度，助力xEV逆變器實(shí)現(xiàn)小型化！

  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部在日本京都市）面向300kW以下的xEV（電動(dòng)汽車(chē)）用牽引逆變器，開(kāi)發(fā)出二合一SiC封裝型模塊“TRCDRIVE pack”，共4款產(chǎn)品（750V 2個(gè)型號(hào)：BSTxxxD08P4A1x4，1

  IGBT/SiC MOSFET專(zhuān)用第三代驅(qū)動(dòng)電源——QA_(T)-R3G系列

  一、產(chǎn)品介紹 基于國(guó)內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展形態(tài)趨勢(shì)，半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大；對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛，而驅(qū)動(dòng)電源作為專(zhuān)為IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)能力的來(lái)源，市場(chǎng)潛力巨大

  ROHM推出全新Power Stage IC：可替代Si MOSFET，器件體積減少99％

  近年來(lái)，為實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì)，對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)施的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對(duì)這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。在此背景下，全球知名

  安森美 （onsemi） M3S EliteSiC MOSFET 讓車(chē)載充電器升級(jí)到 800V 電池架構(gòu)

  作者：安森美產(chǎn)品推廣工程師Vladimir Halaj自電動(dòng)汽車(chē) （EV） 在汽車(chē)市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟以來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為實(shí)現(xiàn)用戶需求和延長(zhǎng)行駛里程，電動(dòng)汽車(chē)制造商持續(xù)不斷的增加車(chē)輛的電池容量

  Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)，助力工程師隨時(shí)隨地分析MOSFET行為

  無(wú)需人工計(jì)算，參數(shù)可隨用戶輸入動(dòng)態(tài)響應(yīng)奈梅亨，2023年5月11日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)，大幅度的提高了對(duì)半導(dǎo)體工程師的設(shè)計(jì)支持標(biāo)準(zhǔn)

  Nexperia推出首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專(zhuān)用MOSFET（ASFET），管腳尺寸縮小60％

  RDS（on）額外降低40％，功率密度提高58倍，適合電信和熱插拔計(jì)算應(yīng)用奈梅亨，2023年3月22日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專(zhuān)用

  英飛凌推出PQFN 封裝、雙面散熱、25－150V OptiMOS 源極底置功率MOSFET

  【2023年01月13日，德國(guó)慕尼黑訊】未來(lái)電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)頂配水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展的新趨勢(shì)，英飛凌科技有限公司（FSE代碼：IFX ／ OTCQX代碼：IFNNY）推

  瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動(dòng)IC 用于驅(qū)動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

  全新柵極驅(qū)動(dòng)IC支持1200V功率器件，隔離電壓為3．75kVrms2023 年 1 月 30日，中國(guó)北京訊 － 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC

  Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應(yīng)用MOSFET （ASFET），SOA性能翻倍

  全面優(yōu)化12V熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用中控制浪涌電流的RDS（on）和SOA奈梅亨，2022年11月18日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布擴(kuò)展其適用于熱插拔和軟啟動(dòng)的ASFET產(chǎn)品組合，推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件

  Nexperia推出用于自動(dòng)安全氣囊的專(zhuān)用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合

  在LFPAK封裝中采用新型SOA(安全工作區(qū))Trench技術(shù),可提供出色的瞬態(tài)線性模式性能,為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)體積更小、更可靠的選擇。奈梅亨,2022年5月12日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專(zhuān)用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合

  東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET,可大幅度提高電源效率

  中國(guó)上海,2022年3月31日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝,適用于工業(yè)設(shè)施開(kāi)關(guān)電源,這中間還包括數(shù)據(jù)中心電源和通信基站電源

  適用于熱插拔的Nexperia新款特定應(yīng)用MOSFET （ASFET）將SOA增加了166％，并將PCB占用空間減小80％

  （企業(yè)供圖）新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本奈梅亨，2021年8月4日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出新款

  Nexperia位于曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動(dòng)，首批產(chǎn)品為行業(yè)領(lǐng)先的Qrr品質(zhì)因數(shù)80 V／100 V MOSFET

  新生產(chǎn)線提高了產(chǎn)能，力求滿足及時(shí)供應(yīng)奈梅亨，2021年6月24日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布，位于英國(guó)曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動(dòng)，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS（on）和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET

  Nexperia新型40 V低RDS（on） MOSFET助力汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高功率密度

  領(lǐng)先的SOA和雪崩特性提高了耐用性和可靠性奈梅亨，2021年5月27日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出新型0．55 m? RDS（on） 40 V功率MOSFET，該器件采用高可