1、半導體設備行業(yè)，前道工藝設備用于晶圓制造，含光刻機等；后道工藝設備用于封裝測試，含分選機等。晶圓制造設備占比高，薄膜沉積、光刻、刻蝕設備合計份額超60%。

  2、2024年全球規(guī)模1170億美元，中國大陸為主要市場，設備支出495.5億美元。2024年中國半導體設備及零件出口額52.1億美元，主要出口至美國、印度、新加坡等。

  3、貿易摩擦加速自主可控，美系廠商對中國大陸銷售規(guī)模大，國產(chǎn)設備有替代空間。晶圓廠擴產(chǎn)，先進制程產(chǎn)能利用率高，成熟制程溫和復蘇，帶動設備需求。

  4、2025年全球規(guī)模將達1210億美元，中國大陸份額提升。先進制程邁進，EUV光刻機為核心，國產(chǎn)替代進入深水區(qū)，競爭維度升級。碳化硅等新型材料發(fā)展，環(huán)保工藝受重視。

  半導體設備作為半導體產(chǎn)業(yè)鏈的核心支撐，其技術水平與產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展程度，不僅決定著芯片制造的效率、精度與良品率，更是衡量國家科技競爭力和保障產(chǎn)業(yè)安全的關鍵指標。近年來，全球半導體設備市場規(guī)模持續(xù)攀升，展現(xiàn)出強勁的發(fā)展勢頭。中國大陸憑借不斷加大的產(chǎn)業(yè)資本投入，迅速崛起為全球半導體設備最具活力的市場之一。但長期以來，美系廠商憑借先發(fā)優(yōu)勢和技術壁壘，在半導體設備領域形成高度壟斷格局，極大限制了國產(chǎn)設備的發(fā)展空間。

  面對外部技術封鎖壓力與國內龐大的市場需求，國產(chǎn)半導體設備企業(yè)迎難而上，全力推進技術創(chuàng)新與國產(chǎn)化替代進程。從光刻、刻蝕等核心設備，到薄膜沉積、清洗等關鍵環(huán)節(jié)，國產(chǎn)設備企業(yè)不斷突破技術瓶頸，產(chǎn)品性能明顯提升，市場認可度慢慢地提高。本報告將全方面分析半導體設備行業(yè)的驅動因素，深入探討市場發(fā)展現(xiàn)狀與產(chǎn)業(yè)鏈競爭格局，系統(tǒng)梳理核心企業(yè)未來的發(fā)展動態(tài)，為讀者呈現(xiàn)半導體設備產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展全貌，助力把握行業(yè)發(fā)展趨勢。

  半導體設備作為集成電路制造的核心支撐，按制造流程可清晰劃分為前道工藝設備與后道工藝設備兩大板塊。前道工藝專注于晶圓制造，涵蓋11類、50余種機型，光刻機、刻蝕機、薄膜沉積機、離子注入機、化學機械拋光（CMP）設備、清洗機、前道檢測設備及氧化退火設備等構成技術核心；后道工藝則聚焦封裝測試環(huán)節(jié)，以分選機、劃片機、貼片機及各類檢測設備為主要裝備。

  從市場結構來看，晶圓制造設備占據(jù)行業(yè)主導地位。SEMI多個方面數(shù)據(jù)顯示，2023年其銷售額在半導體設備整體市場中的占比高達90%。其中，薄膜沉積設備、光刻設備與刻蝕設備作為芯片制造的三大支柱，合計市場占有率超過60%。有必要注意一下的是，薄膜沉積設備與刻蝕設備憑借技術迭代優(yōu)勢，年平均增長率明顯高于其他品類。

  半導體設備行業(yè)發(fā)展呈現(xiàn)雙輪驅動特征。在需求層面，技術革新與終端應用拓展共同驅動長期規(guī)模增長，而中短期受終端產(chǎn)品換機周期等因素影響，呈現(xiàn)出明顯的景氣波動?？v觀歷史數(shù)據(jù)，全球半導體年度銷售額每10年左右形成一個“M”型波動周期，每個階段的增長均由新興應用需求主導；中短期內，行業(yè)需求以4-5年為周期循環(huán)變動。從終端器件角度分析，存儲芯片因市場集中度高、產(chǎn)品同質化強，需求波動最為劇烈；邏輯芯片次之；模擬芯片憑借產(chǎn)品品類豐富、下游應用多元、產(chǎn)品生命周期長等特性，展現(xiàn)出較強的抗周期能力。

  在技術維度，半導體芯片的發(fā)展始終遵循摩爾定律。不同芯片類型演進路徑各有側重：模擬芯片更注重性能可靠性，對制程要求相比來說較低；邏輯芯片與動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）持續(xù)推進制程微縮；閃存（NAND）芯片則朝著3D立體結構發(fā)展，持續(xù)不斷的增加堆疊層數(shù)。隨技術節(jié)點持續(xù)進步，單位產(chǎn)能設備投資規(guī)模大幅攀升，不僅推動半導體設備市場規(guī)模持續(xù)擴容，也使得行業(yè)周期低點逐步上移，成為驅動產(chǎn)業(yè)長期成長的核心動力。

  全球半導體設備市場規(guī)模創(chuàng)新高，中國大陸投資持續(xù)加大。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2024年全球半導體設備市場規(guī)模達到1170億美元，同比增長10.2%，創(chuàng)歷史上最新的記錄。從區(qū)域來看，中國大陸、韓國和中國臺灣省仍然是半導體設備支出的前三大市場，2024年全球份額分別為42.3%、17.5%、14.1%。中國大陸繼續(xù)加大資本開支，2024年設備支出達到了495.5億美元，同比增長35.4%。

  美系廠商占據(jù)全球半導體設備市場較大份額。根據(jù)CINNO數(shù)據(jù)，2024年全球半導體設備商Top10營收合計超過1100億美元，同比增長約10%。從營收金額來看，2024年前五大設備商的半導體業(yè)務的營收合計近900億美元，約占比Top10營收合計的85%。北方華創(chuàng)作為Top10中唯一的中國半導體設備廠商，2023年首次進入全球Top10，2024年排名由第八上升至第六。

  2、半導體設備大部分環(huán)節(jié)已具備國產(chǎn)替代能力，關注光刻、量測設備等國產(chǎn)突破進程

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，目前去膠設備國產(chǎn)化率已超過80%，清理洗滌設施50%-60%，刻蝕設備55%-65%，熱處理設備30%-40%，CMP設備30%-40%，這些環(huán)節(jié)目前國產(chǎn)替代進展較快。

  而PVD設備國產(chǎn)化率約10%-20%，CVD/ALD設備5%-10%，涂膠顯影設備5%-10%，離子注入設備10%-20%，量/檢測設備1%-10%，光刻設備0%-1%，這些環(huán)節(jié)目前國產(chǎn)化率仍較低，要關注國產(chǎn)突破進程。

  國產(chǎn)半導體設備公司營收業(yè)績快速地增長，市場占有率逐步提升。設備行業(yè)核心公司（北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海、拓荊科技、華海清科、中科飛測、精測電子、長川科技、芯源微、華峰測控、至純科技、新益昌、芯碁微裝、萬業(yè)企業(yè)）24Q1-Q3年營業(yè)總收入合計達到459億元，同比增長34%，歸母凈利潤合計達到82.2億元，同比增長25.1%。

  回顧國產(chǎn)核心半導體設備公司2019-2023年業(yè)績發(fā)展，2019年14家公司合計營收138.1億元，2023年增長至509.3億元，CAGR達38.6%，中國大陸半導體設備銷售額自2019年134.5億美元增長至365.9億美元，CAGR為28.4%，國產(chǎn)廠商復合增速明顯高于市場銷售增速，反映了國產(chǎn)設備供應商產(chǎn)品實現(xiàn)陸續(xù)放量，國產(chǎn)替代加速進行，份額持續(xù)提升。

  從歸母凈利潤來看，14家公司合計歸母凈利潤自2019年15.9億元增長至2023年95.9億元，CAGR達56.7%，反映國產(chǎn)供應商在營收保持快速地增長同時，盈利能力不斷改善，國產(chǎn)供應商大力投入研發(fā)以追趕海外龍頭，利潤端承受較大壓力但仍然表現(xiàn)優(yōu)異，彰顯國產(chǎn)供應商強大韌性及競爭力。

  設備廠商在手訂單充足，合同負債保持比較高增速。截至2024年三季度末設備板塊主要公司合同負擔債務合計為183.9億元，環(huán)比持續(xù)增長，相較于21Q4的98.7億元，合同負債總計實現(xiàn)近乎翻倍增長，彰顯訂單充沛。

  研發(fā)費用保持高位。近兩年國內設備廠商研發(fā)費用率保持高位，持續(xù)大力投入研發(fā)，完善產(chǎn)品品類、進行產(chǎn)品迭代，提升核心競爭力，2019年14家公司合計研發(fā)費用為12.6億元，研發(fā)費用率為10.8%，2023年研發(fā)費用達72.8億元，費用率達14.3%，可見國內廠商格外的重視研發(fā)以實現(xiàn)產(chǎn)品突破，24Q1-Q3合計研發(fā)費用為65.9億元，費用率維持14.3%。

  根據(jù)相關統(tǒng)計，2022年至2024年，中國半導體設備及零件出口總額呈上漲的趨勢，從2022年的40.9億美元，上升至2024年的52.1億美元。依據(jù)相關統(tǒng)計，2024年中國半導體設備及零件主要出口至美國、印度、新加坡等地區(qū)，三地區(qū)合計占出口總量的35%。此外，俄羅斯是去年出口增量比較大的地區(qū)。

  近年來，半導體行業(yè)作為國家戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，獲得中央及地方政府的全方位政策支持。一系列涵蓋資金扶持、稅收優(yōu)惠、技術創(chuàng)新激勵與人才培養(yǎng)的政策法規(guī)相繼出臺，為半導體及專用設備行業(yè)搭建起堅實的政策框架。這些政策不僅為國產(chǎn)半導體設備企業(yè)營造了優(yōu)越的經(jīng)營環(huán)境，更在產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展資金供給、研發(fā)技術突破、人才梯隊建設等方面提供有力支撐，極大地促進了國內半導體設備產(chǎn)業(yè)的加快速度進行發(fā)展，明顯提升了國產(chǎn)企業(yè)的市場競爭力，成為推動行業(yè)發(fā)展的核心驅動力。

  隨著4月9日特朗普政府對等關稅政策的正式實施，芯片行業(yè)面臨的關稅環(huán)境充滿不確定性。美國對中國芯片行業(yè)的制裁持續(xù)升級，這種外部壓力一方面限制了美系廠商的對華出口，另一方面也倒逼中國半導體行業(yè)加速自主可控進程。作為芯片產(chǎn)業(yè)基石的半導體設備行業(yè)，其國產(chǎn)替代進展直接關乎國內芯片產(chǎn)業(yè)安全，在此背景下，率先實現(xiàn)對美系廠商的替代成為必然趨勢。

  自2020年起，美系半導體設備廠商對中國大陸的銷售規(guī)模持續(xù)攀升。2024財年，AMAT、LAM、KLA對中國大陸的銷售額分別達到101.17億美元、62.94億美元、41.97億美元，占其營收比重分別高達37%、42%、43%。三大美系廠商在中國大陸超200億美元的市場規(guī)模，為國產(chǎn)設備提供了廣闊的替代空間。從技術可行性來看，國產(chǎn)設備已在成熟制程的大部分環(huán)節(jié)實現(xiàn)有效替代，且在先進制程領域的替代進程也有望加速推進。

  目前，半導體設備領域已基本實現(xiàn)國產(chǎn)化布局，在刻蝕、清洗、薄膜沉積等細致劃分領域國產(chǎn)化覆蓋率尤為突出，培育出上海微電子、北方華創(chuàng)、中微公司等一批行業(yè)領軍企業(yè)。然而，光刻環(huán)節(jié)的光刻機與涂膠顯影機，以及量測環(huán)節(jié)的量檢測設備，仍是國產(chǎn)企業(yè)亟待攻克的技術難點。整體而言，國產(chǎn)設備正處于從“可用”向“好用”的關鍵轉型期，一定要通過大量的產(chǎn)線實踐優(yōu)化設備一致性。在國產(chǎn)化工藝覆蓋上，光刻機、量測設備等關鍵設備急需突破；刻蝕、清洗等設備已在28nm節(jié)點實現(xiàn)量產(chǎn)，部分環(huán)節(jié)更在5nm制程取得快速進展。中國半導體協(xié)會指出，高能離子注入機、KrF光刻機等設備仍是當前國產(chǎn)半導體設備突破的重點方向。

  TrendForce集邦咨詢多個方面數(shù)據(jù)顯示，當前半導體市場中先進制程與成熟制程需求呈現(xiàn)分化態(tài)勢。受AI服務器、高性能計算芯片及智能手機芯片需求拉動，5/4nm、3nm等先進制程產(chǎn)能利用率預計在2024年底持續(xù)保持滿載；而28nm及以上成熟制程則處于溫和復蘇階段，2024年下半年平均產(chǎn)能利用率較上半年提升5%-10%。

  機構預測，2025年國內晶圓代工廠將成為成熟制程產(chǎn)能增長的主力軍，全球前十大成熟制程代工廠產(chǎn)能有望提升6%。臺積電日本熊本JASM項目，中芯國際上海臨港、北京基地，華虹集團Fab9、Fab10以及晶合集成N1A3等擴產(chǎn)計劃將逐步落地。預計到2025年底，大陸晶圓代工廠成熟制程產(chǎn)能在全球前十大廠商中的占比將突破25%，其中28/22nm新增產(chǎn)能最顯著。晶圓廠大規(guī)模的產(chǎn)能擴張，必將帶動上游半導體設備需求的大幅度增長，為行業(yè)發(fā)展帶來新的增長契機。

  隨著生成式AI、智能汽車、物聯(lián)網(wǎng)及6G技術的加速發(fā)展，芯片需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。根據(jù)SEMI預測，2025年全球半導體設備市場規(guī)模將達到1210億美元，并在2026年進一步增長至1390億美元。受益于國內晶圓廠持續(xù)擴產(chǎn)，中國大陸在全球半導體設備市場中的份額將穩(wěn)步提升，繼續(xù)鞏固其作為全球主要市場的地位。

  半導體制造工藝正朝著2nm及以下先進制程邁進，EUV光刻機成為高端芯片制造的核心裝備。同時，HBM4內存技術和Chiplet先進封裝技術的快速迭代，持續(xù)推動存儲與算力性能升級。這些技術革新不僅重塑行業(yè)競爭格局，也對半導體設備提出了更高要求。

  在政策支持下，中國半導體設備國產(chǎn)化進程顯著加快，但光刻機等核心設備仍高度依賴進口，實現(xiàn)自主可控的任務依然艱巨。企業(yè)要加大研發(fā)投入，與高校、科研機構開展深度合作，攻克關鍵技術瓶頸，逐步降低對國外技術的依賴。

  服務生態(tài)競爭：國產(chǎn)設備廠商開始構建設備-工藝-材料一體化服務體系，效仿國際巨頭提供全生命周期服務，并與芯片設計企業(yè)聯(lián)合開發(fā)定制化解決方案，增強客戶粘性。

  成本優(yōu)勢凸顯：受日本出口管制影響，進口設備成本大面積上漲超50%，而國產(chǎn)設備憑借本土化供應鏈優(yōu)勢，價格僅為進口設備的60%-70%，性價比優(yōu)勢正在重塑市場采購格局。

  面對全球產(chǎn)業(yè)鏈重構，中國企業(yè)需加強上下游協(xié)同，以成熟制程為基礎，逐步向高端領域突破。通過政策支持和技術創(chuàng)新，有望在細致劃分領域實現(xiàn)關鍵突破，縮小與國際領先企業(yè)的差距。同時，積極開展國際合作，突破技術與供應鏈壁壘，將成為產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展的重要方向。

  碳化硅、硅光芯片等新型半導體材料的發(fā)展，有望突破傳統(tǒng)硅基材料的性能限制，為行業(yè)帶來新的增長點。與此同時，環(huán)保工藝和可持續(xù)發(fā)展理念日益受到重視，半導體設備企業(yè)要在生產(chǎn)的全部過程中注重節(jié)能減排，推動綠色制造技術的應用。

  盡管行業(yè)前景廣闊，但仍需警惕技術快速迭代和地理政治學風險帶來的挑戰(zhàn)。技術更新?lián)Q代可能會引起現(xiàn)存技術和設備快速過時，地緣沖突則可能引發(fā)供應鏈中斷、市場準入受限等問題。企業(yè)唯有堅持創(chuàng)新驅動，提升供應鏈韌性，才能在激烈的市場之間的競爭中保持領先地位。

  半導體零部件處于芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈上游，為半導體設備及晶圓廠提供關鍵支持。這些零部件先組成模組、子系統(tǒng)，進而組裝成半導體設備。同時，晶圓廠也會直接采購部分零部件作為替換件，部分具有耗材屬性的零部件需定期更換，這使得零部件市場具備持續(xù)的需求動力。

  半導體零部件國產(chǎn)化率提升是實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的關鍵環(huán)節(jié)。目前，國產(chǎn)自主可控趨勢正逐步向產(chǎn)業(yè)鏈上游延伸，解決“卡脖子”問題的核心在于完成半導體設備零部件的國產(chǎn)替代。在中低端零部件領域，國內廠商技術已具備替代能力，但市場占有率仍較低；高端零部件方面，與國際領先水平存在一定差距，不過這也代表著未來國產(chǎn)化率提升空間巨大。

  半導體設備零部件涵蓋機械、電氣、機電一體、氣體/液體/真空系統(tǒng)、儀器儀表、光學等7大種類。其中，機械類價值量占比最高，達設備成本的20-40%，可進一步細分為金屬與非金屬兩類。電氣類、機電一體、氣體/液體/線%，像射頻電源、EFEM、氣柜（gasbox）、真空閥等核心部件，國產(chǎn)化需求迫切。

  從成本角度看，零部件占據(jù)半導體設備經(jīng)營成本約90%，市場規(guī)模約為半導體設備的40%，且會隨設備市場同步增長，設備環(huán)節(jié)間的增速差異也將影響各零部件品類的市場潛力。全球半導體零部件市場規(guī)模龐大，未包含晶圓廠直接采購部分時約335-350億美元（折合人民幣約2400億元）；若包含晶圓廠直接更換部分，2022年全球市場規(guī)模達3861億元，中國大陸市場為1141億元。競爭格局上，雖以美日企業(yè)為主導，但由于零部件類別繁多，市場相對分散，為新進入者提供了提升市占率的機會。

  光刻機是芯片制造的核心設備，其技術水平直接決定芯片的制程和性能。光刻成本占芯片制造成本約30%，耗時占比達40-50%。光刻機主要由光源、照明系統(tǒng)、掩模臺等關鍵結構組成，根據(jù)光源不同可分為G-line、I-line、KrF、ArF（包括ArFDry和ArFi，統(tǒng)稱DUV光刻機）、EUV等類型。

  2024年全球光刻機設備市場規(guī)模約315億美元，是半導體設備中占比最大的細致劃分領域。全球光刻機出貨量持續(xù)上升，ASML、Canon、Nikon三大供應商主導市場。其中，ASML在高端光刻機領域占據(jù)非常大的優(yōu)勢，尤其在EUV領域更是獨家壟斷，2024年首次交付新設備EXE（HighNAEUV）2臺，引領行業(yè)進入新時代。

  中國是半導體設備最大市場，也是ASML的重要客戶，但國產(chǎn)光刻機面臨供不應求的局面。2023年我國光刻機產(chǎn)量僅124臺，需求量卻高達727臺，國產(chǎn)化率僅2.5%，整機技術與海外差距較大。美日荷加強對華先進制程出口限制，使得光刻機國產(chǎn)化勢在必行。上海微電子作為國內整機制造廠商，已實現(xiàn)90nm工藝量產(chǎn)，并積極研發(fā)28nm浸沒式光刻機。

  刻蝕的核心目的是按設計圖紙對襯底或薄膜進行精確切割，分為濕法刻蝕和干法刻蝕，目前干法刻蝕尤其是等離子體干法刻蝕是主流技術。等離子體刻蝕設備利用等離子體放電產(chǎn)生的活性粒子與材料反應，實現(xiàn)微觀結構加工。

  全球干法刻蝕市場由國際巨頭主導，2020年泛林半導體、東京電子、應用材料三家廠商占據(jù)全球干法刻蝕設備領域90.24%的市場占有率。隨著集成電路行業(yè)發(fā)展，對刻蝕工藝復雜度要求逐步的提升，預計2025年全球集成電路制造干法刻蝕設備市場規(guī)模將增長至181.85億美元。在先進芯片制程發(fā)展過程中，多重曝光和存儲三維化趨勢使得刻蝕技術及設備的重要性日益凸顯，7nm集成電路生產(chǎn)所需刻蝕工序相較28nm增加2.5倍，3DNAND制造對刻蝕設備的需求也大幅度的增加。國內廠商如中微公司、北方華創(chuàng)等尚處于追趕階段，發(fā)展空間巨大。

  薄膜沉積設備是芯片制造的三大核心設備之一，按工藝原理可分為PVD、CVD和ALD，用于在基材上沉積納米級薄膜。PVD通過物理方法氣化材料并沉積；CVD利用化學反應形成固態(tài)沉積物；ALD則以單原子膜形式逐層沉積，具有精確控制膜厚等優(yōu)勢。

  在CVD領域，PECVD設備應用最為廣泛，占薄膜沉積設備的33%；PVD領域以濺射PVD設備為主。隨著芯片制程和工藝升級，薄膜沉積工序數(shù)量和材料種類大幅度的增加，對薄膜顆粒要求也逐步的提升。同時，NAND垂直化發(fā)展進一步帶動薄膜沉積設備需求。預計2025年全球薄膜沉積設備市場規(guī)模達239.6億美元，國內市場規(guī)模超82億美元。全球市場呈現(xiàn)高度壟斷格局，主要由美國應用材料、泛林半導體和日本東京電子等企業(yè)主導，國內廠商如北方華創(chuàng)、拓荊科技等份額提升空間廣闊，2023年國產(chǎn)廠商本土市占率不足20%。

  前道量/檢測是芯片制程中保障良率、減少相關成本和推動工藝迭代的關鍵環(huán)節(jié)。量測設備用于測量晶圓結構尺寸和材料特性，檢測設備則用于識別晶圓表面缺陷。隨著工藝向細微線寬發(fā)展，對量檢測設備的精度、靈敏度、穩(wěn)定性等提出更高要求。

  量檢測設備市場呈現(xiàn)光學檢測技術提升、多系統(tǒng)組合、大數(shù)據(jù)算法應用和設備速度提高等發(fā)展的新趨勢。2023年全球半導體檢測和量測設備市場規(guī)模達128.3億美元，預計2025年全球量檢測設備市場規(guī)模將達157.3億美元，中國市場規(guī)模有望達51.9億美元。目前，KLA等國外廠商長期壟斷市場，國內廠商如上海精測、上海睿勵、中科飛測等積極布局，在先進制程領域逐步實現(xiàn)技術突破，未來國產(chǎn)替代前景可期。

  離子注入是半導體制造的核心工藝之一，通過將帶電離子注入半導體材料實現(xiàn)精準摻雜，定義芯片電學特性。離子注入技術相比熱擴散具有單面準直摻雜、均勻性好、可控性強等優(yōu)勢，在太陽能電池制造等領域也有重要應用。

  離子注入設備可分為中低束流、低能大束流和高能離子注入機，其中高能離子注入機技術難度最大。2024年全球離子注入設備市場規(guī)模達276億元，預計2030年將攀升至307億元，國內市場空間約160億元。全球市場主要由AMAT、Axcelis、Nissin等國外廠商主導，國內廠商凱世通和中科信已取得一定進展，北方華創(chuàng)進軍該領域，有望打破國際壟斷。

  半導體清理洗滌設施用于去除晶圓表面雜質，確保芯片良率和性能，濕法清洗是目前主流技術，占芯片制造清洗步驟的90%以上，干法清洗主要使用在于先進制程。濕法清洗包括溶液浸泡、機械刷洗等多種方法，干法清洗主要有等離子清洗、氣相清洗等。

  全球半導體清理洗滌設施市場高度集中，DNS、TEL、LAM與SEMES四家公司在單片清理洗滌設施領域市場占有率超90%。隨著存儲器技術向三維架構發(fā)展，對清理洗滌設施的需求持續(xù)不斷的增加，清洗步驟占芯片制造工序的30%以上。國內廠商如盛美上海積極研發(fā)差異化技術，國產(chǎn)替代進程加速。

  CMP設備大多數(shù)都用在晶圓的全局平坦化處理，通過非物理性腐蝕與機械研磨結合，確保后續(xù)工藝順順利利地進行。設備主要由晶圓傳輸、拋光和清洗三大單元組成。CMP設備大范圍的應用于晶圓材料制造、半導體制造和封裝測試等環(huán)節(jié)。

  全球CMP市場規(guī)模總體呈增長趨勢，2024年達到32億美元，但市場高度壟斷，美國應用材料和日本荏原占據(jù)全球超90%的市場占有率。隨著芯片集成度提高和制程縮小，對CMP設備的精密化和集成化要求不斷的提高，國內CMP設備國產(chǎn)化空間廣闊。

  測試是半導體檢測的重要環(huán)節(jié)，應用于設計和封測環(huán)節(jié)，分為CP晶圓測試和FT芯片成品測試。測試設備最重要的包含測試機、探針臺和分選機，其中測試機價值量占比超60%。

  預計2027年全球半導體測試設備市場規(guī)模有望達106.8億美元，測試機市場規(guī)模達65.7億美元，其中SOC測試機市場規(guī)模將達41億美元。全球市場主要由泰瑞達和愛德萬等海外巨頭壟斷，國內廠商在高端SOC、存儲測試設備領域即將實現(xiàn)放量。

  傳統(tǒng)封裝設備按工藝流程包括晶圓減薄機、劃片機、貼片機等。后道封裝設備在半導體設備市場中占比約6%，隨著先進封裝發(fā)展，傳統(tǒng)封裝設備需求有望增長，同時也帶來前道晶圓制造設備的新增需求。

  各細分封裝設備市場中，減薄機、劃片機、固晶機、鍵合機、塑封機等市場規(guī)模均呈現(xiàn)增長趨勢，但全球市場大多被國外廠商壟斷，國內廠商雖與海外巨頭存在差距，但在國產(chǎn)替代浪潮下，各細分市場發(fā)展的潛在能力巨大。

  北方華創(chuàng)展現(xiàn)出卓越的增長韌性，2024年Q1-Q3實現(xiàn)營業(yè)收入204億元，同比增長39.5%，電子工藝裝備板塊貢獻核心增長動能，營收同比提升46.96%。同期歸母凈利潤達45億元，同比增長54.7%，費用優(yōu)化疊加業(yè)務擴張推動毛利率攀升至44.2%。近五年（2019-2023年）營收與歸母凈利潤復合增長率分別高達52.7%、88.5%，成長性突出。

  AccuraLX刻蝕機：12英寸電容耦合等離子體介質刻蝕機AccuraLX突破技術瓶頸，在邏輯芯片多個關鍵制程中，以AIO雙大馬士革刻蝕、接觸孔工藝性能超越行業(yè)標準，廣泛適配存儲、CIS、功率半導體等領域。

  Cygnus系列PECVD設備：通過多站位多步沉積工藝，實現(xiàn)高均勻性、高產(chǎn)能輸出，成功解決大翹曲硅片傳輸與工藝難題，為2.5D/3D三維器件介質薄膜生長提供核心支撐。

  OrionProximaHDPCVD設備：自主研發(fā)的12英寸HDPCVD設備進入客戶端驗證，憑借“沉積-刻蝕-沉積”創(chuàng)新工藝，攻克高深寬比溝槽絕緣介質填充技術壁壘。

  作為國產(chǎn)半導體設備領軍企業(yè)，北方華創(chuàng)在高端電子工藝裝備與精密元器件領域持續(xù)領跑。ICP刻蝕技術積累深厚，多晶硅及金屬刻蝕設備實現(xiàn)規(guī)模應用；PVD工藝裝備已推出40余款產(chǎn)品，出貨超3500腔，并拓展DCVD、MCVD產(chǎn)品線原子層沉積設備實現(xiàn)量產(chǎn)，進一步鞏固高端市場競爭力。

  2024年前三季度，中微公司實現(xiàn)盈利收入55.07億元，同比增長36.27%，刻蝕與薄膜設備市場認可度提升驅動增長。歸母凈利潤9.13億元，雖同比下降21.28%，但毛利率從2019年的34.93%提升至42.22%。

  PrimoUD-RIE刻蝕機：針對超高深寬比刻蝕開發(fā)，具備刻蝕≥60:1深寬比結構量產(chǎn)能力，適配DRAM與3DNAND關鍵制程。

  PrimoSD-RIE刻蝕機：通過動態(tài)調節(jié)電極間距與多區(qū)調溫技術，優(yōu)化大馬士革刻蝕工藝均勻性。

  PreformaUniflex系列薄膜設備：自主研發(fā)的12英寸高深寬比金屬鎢沉積設備，為復雜芯片結構提供高性價比填充方案。

  中微公司等離子體刻蝕設備已批量應用于65納米至5納米及更先進制程產(chǎn)線，并覆蓋先進封裝環(huán)節(jié)。憑借CCP、ICP、薄膜沉積等五類設備的國際先進的技術水平，受益于芯片制程升級、Mini/MicroLED及第三代半導體需求量開始上漲，市場空間持續(xù)擴容。

  2024年Q1-Q3，精測電子實現(xiàn)盈利收入18.3億元，同比增長18.5%，其中半導體板塊營收4.1億元，同比激增95.3%，成為新增長引擎。第三季度營收7.1億元（同比增長63.4%），歸母凈利潤0.3億元（同比增長231.3%），顯示、半導體、新能源板塊呈現(xiàn)差異化發(fā)展態(tài)勢。

  Micro-OLED檢測技術：成為國內首家進入Micro-OLEDcell段檢驗測試領域的企業(yè)，并在模組檢測端實現(xiàn)批量交付。

  PancakeAOI光學系統(tǒng)：與全球頂尖客戶合作開發(fā)的光學系統(tǒng)及算法成功導入量產(chǎn)。

  精密光學儀器國產(chǎn)化：色彩分析儀、光譜共聚焦儀等核心產(chǎn)品打破國外壟斷，獲得國內外客戶重復訂單。

  公司在半導體檢測設備領域已實現(xiàn)先進制程全覆蓋，膜厚測量、OCD設備及電子束復查設備獲先進制程訂單。同時，新能源與新型顯示業(yè)務協(xié)同發(fā)展，AR/VR檢測等新興領域布局成效顯著。

  2024年Q1-Q3，公司營收7.2億元（同比增長37.1%），歸母凈利潤1.6億元（同比增長30.9%），市場拓展與產(chǎn)品升級驅動增長。24Q3單季營收2.7億元（同比增長30.9%），歸母凈利潤0.5億元（同比增長18.6%）。

  先進封裝設備：WLP2000晶圓級封裝設備技術成熟，同步布局PLP板級封裝領域。

  作為國內直寫光刻設備領先企業(yè)，芯碁微裝受益于PCB行業(yè)回暖和AI驅動的高端化需求，加速產(chǎn)品升級與泛半導體領域拓展，持續(xù)深化直寫光刻技術應用。

  2024年，公司實現(xiàn)盈利收入56.2億元（同比增長44.5%），歸母凈利潤11.5億元（同比增長26.7%），半導體清理洗滌設施收入40.6億元（同比增長55.2%），毛利率46.2%，市場需求旺盛推動增長。

  Track設備：首創(chuàng)無接觸背面清洗模塊，解決光刻機污染問題，提升系統(tǒng)產(chǎn)出效率。

  PECVD設備：“1腔3卡盤”創(chuàng)新設計支持多工藝集成，加速國際市場驗證。

  UltraCbev-p刻蝕設備：專為面板銅工藝設計，實現(xiàn)雙面邊緣刻蝕與清洗一體化。

  公司形成涵蓋清洗、電鍍、爐管、涂膠顯影等全品類半導體設備平臺，為全球客戶提供一站式工藝解決方案。

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